Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор ST8L65N065DM9

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM9
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
28 A
Pulsed drain current
175 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяST8L65N065DM9
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM9
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current28 A
Pulsed drain current175 A
Power dissipation223 W
КорпусPowerFLAT 8x8
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge78nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM9; unipolar; 650V; 28A; Idm: 175A

Документация

Документ производителя