Антава

TOSHIBA

Транзистор SSM6N35FE,LM(T

SSM6N35FE,LM(T
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.18 A
Power dissipation
0.15 W
Корпус
SOT563
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSSM6N35FE,LM(T
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.18 A
Power dissipation0.15 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance20 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD

Документация

Документ производителя