TOSHIBA
Транзистор SSM6J511NU,LF(T
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -12 V
- Drain current
- -14 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.25 W
- Корпус
- uDFN6
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 510 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%88,20 ₽
Сумма · с НДС 22%441,00 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 5 | 88,20 ₽ | |
| от 10 | 78,53 ₽ | |
| от 50 | 59,17 ₽ | |
| от 100 | 52,10 ₽ | |
| от 200 | 45,40 ₽ | |
| от 500 | 38,15 ₽ | |
| от 1000 | 33,87 ₽ | |
| от 3000 | 30,33 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SSM6J511NU,LF(T |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -12 V |
| Drain current | -14 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Корпус | uDFN6 |
| Gate-source voltage | ±10 V |
| On-state resistance | 19.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 47nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.