Антава

TOSHIBA

Транзистор SSM6J503NU,LF(T

SSM6J503NU,LF(T
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-6 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
uDFN6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSSM6J503NU,LF(T
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-6 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусuDFN6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance89.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6

Документация

Документ производителя