Антава

TOSHIBA

Транзистор SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-10 A
Pulsed drain current
-30 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSSM6J501NU,LF
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-10 A
Pulsed drain current-30 A
Power dissipation1 W
КорпусuDFN6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD

Документация

Документ производителя