Антава

TOSHIBA

Транзистор SSM3K339R

SSM3K339R
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
SOT23 F
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 884 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%30,54 ₽

Сумма · с НДС 22%152,70 ₽

От 5 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 530,54 ₽
от 2519,40 ₽
от 10017,24 ₽
от 50015,45 ₽
от 300014,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSSM3K339R
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current2 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT23 F
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance390 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F; ESD

Документация

Документ производителяДокумент производителя