Антава

TOSHIBA

Транзистор SSM3K329R,LF(B

SSM3K329R,LF(B
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.5 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
SOT23 F

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSSM3K329R,LF(B
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.5 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT23 F
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance289 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD

Документация

Документ производителя