Антава

VISHAY

Транзистор SQW44N65EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
34 A
Pulsed drain current
146 A
Power dissipation
500 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQW44N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current34 A
Pulsed drain current146 A
Power dissipation500 W
КорпусTO247AD
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge177nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 146A; 500W; TO247AD

Документация

Документы пока не предоставлены.