VISHAY

Транзистор SQS944ENW-T1_GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 6 A
Pulsed drain current: 24 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQS944ENW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	6 A
Pulsed drain current	24 A
Рассеиваемая мощность	27.8 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.6nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 24A

Документация

Документы пока не предоставлены.