Антава

VISHAY

Транзистор SQS940ELNW-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
6 A
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQS940ELNW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current6 A
КорпусPowerPAK® 1212-8
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; PowerPAK® 1212-8

Документация

Документы пока не предоставлены.