Антава

VISHAY

Транзистор SQS486CENW-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
18 A
Power dissipation
62.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQS486CENW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current18 A
Power dissipation62.5 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35.2nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 18A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.