Антава

VISHAY

Транзистор SQS481ENW-T1_GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-4.7 A
Рассеиваемая мощность
62.5 W
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQS481ENW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-4.7 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
On-state resistance1.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.7A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.