Антава

VISHAY

Транзистор SQS415ENW-T1_GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-16 A
Рассеиваемая мощность
62.5 W
On-state resistance
16.1 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQS415ENW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-16 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
On-state resistance16.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge82nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Case - inch1212
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; 62.5W; Case: 1212

Документация

Документы пока не предоставлены.