VISHAY

Транзистор SQS414CENW-T1_GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 15.5 A
Pulsed drain current: 55 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQS414CENW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	15.5 A
Pulsed drain current	55 A
Рассеиваемая мощность	33 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	23 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15.5A; Idm: 55A

Документация

Документы пока не предоставлены.