Антава

VISHAY

Транзистор SQS405CENW-T1_GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-16 A
Power dissipation
39 W
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQS405CENW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-16 A
Power dissipation39 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 39W; PowerPAK® 1212-8

Документация

Документы пока не предоставлены.