VISHAY

Транзистор SQS201CENW-T1_GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -11.4 A
Pulsed drain current: -46 A
Рассеиваемая мощность: 62.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQS201CENW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-11.4 A
Pulsed drain current	-46 A
Рассеиваемая мощность	62.5 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	80 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -11.4A; Idm: -46A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.