VISHAY

Транзистор SQS180ENW-T1_GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 41 A
Pulsed drain current: 205 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQS180ENW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	41 A
Pulsed drain current	205 A
Рассеиваемая мощность	119 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.67 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	56nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 41A; Idm: 205A

Документация

Документы пока не предоставлены.