VISHAY

Транзистор SQS166ELNW-T1_GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 41 A
Pulsed drain current: 156 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQS166ELNW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	41 A
Pulsed drain current	156 A
Power dissipation	91 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	32nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 41A; Idm: 156A; 91W

Документация

Документы пока не предоставлены.