Антава

VISHAY

Транзистор SQS160ELNW-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
60 V
Drain current
141 A
Рассеиваемая мощность
113 W
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 888 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%98,03 ₽

Сумма · с НДС 22%185 080,64 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 188898,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQS160ELNW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage60 V
Drain current141 A
Рассеиваемая мощность113 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 60V; 141A; 113W

Документация

Документы пока не предоставлены.