Антава

VISHAY

Транзистор SQS142ENW-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
110 A
Pulsed drain current
271 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQS142ENW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current110 A
Pulsed drain current271 A
Power dissipation113 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A

Документация

Документы пока не предоставлены.