VISHAY

Транзистор SQS110ENW-T1_GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 57 A
Рассеиваемая мощность: 119 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQS110ENW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	57 A
Рассеиваемая мощность	119 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	34nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 57A; 119W

Документация

Документы пока не предоставлены.