Антава

VISHAY

Транзистор SQM70060EL_GE3

SQM70060EL_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
67 A
Pulsed drain current
180 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQM70060EL_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current67 A
Pulsed drain current180 A
Power dissipation166 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 67A; Idm: 180A

Документация

Документы пока не предоставлены.