VISHAY

Транзистор SQM60N20-35_GE3

SQM60N20-35_GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 35 A
Pulsed drain current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQM60N20-35_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	35 A
Pulsed drain current	100 A
Рассеиваемая мощность	375 W
Корпус	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	35 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	135nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.