Антава

VISHAY

Транзистор SQM40041EL_GE3

SQM40041EL_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-120A
Power dissipation
157W
Корпус
D2PAK, TO263
On-state resistance
3.4mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQM40041EL_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40V
Drain current-120A
Power dissipation157W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance3.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; 157W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.