Антава

VISHAY

Транзистор SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
375 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQM120N10-3M8_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge125nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263

Документация

Документ производителя