VISHAY

Транзистор SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 73 A
Pulsed drain current: 480 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQM120N10-09_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	73 A
Pulsed drain current	480 A
Рассеиваемая мощность	375 W
Корпус	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.12µC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 73A; Idm: 480A

Документация

Документы пока не предоставлены.