Антава

VISHAY

Транзистор SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-53 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 784 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%796,43 ₽

Сумма · с НДС 22%796,43 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1796,43 ₽
от 5621,65 ₽
от 10538,76 ₽
от 25448,67 ₽
от 50425,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQM100P10-19L_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-53 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.22µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263

Документация

Документ производителя