Антава

VISHAY

Транзистор SQM100N04-2M7_GE3

SQM100N04-2M7_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
98 A
Power dissipation
157 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQM100N04-2M7_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current98 A
Power dissipation157 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263

Документация

Документ производителя