Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ960EL-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
36 A
Рассеиваемая мощность
24 W
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ960EL-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current36 A
Рассеиваемая мощность24 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 36A; 24W; PowerPAK® 8x8L

Документация

Документ производителя