Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ900E-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
25 W
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ900E-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current60 A
Рассеиваемая мощность25 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge85nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 60A; 25W; PowerPAK® 8x8L

Документация

Документ производителя