VISHAY

Транзистор SQJQ510E-T1_GE3

PowerPAK® 8x8LИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 165 A
Pulsed drain current: 793 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJQ510E-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	165 A
Pulsed drain current	793 A
Рассеиваемая мощность	348 W
Корпус	PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.86 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	86nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 165A; Idm: 793A

Документация

Документы пока не предоставлены.