Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ480E-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
150 A
Power dissipation
136 W
On-state resistance
2.4 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ480E-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current150 A
Power dissipation136 W
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge144nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 136W

Документация

Документы пока не предоставлены.