VISHAY

Транзистор SQJQ186E-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 141 A
Pulsed drain current: 770 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQJQ186E-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	141 A
Pulsed drain current	770 A
Power dissipation	357 W
Корпус	PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	123nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 141A; Idm: 770A

Документация

Документы пока не предоставлены.