Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ184E-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
430 A
Pulsed drain current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ184E-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current430 A
Pulsed drain current1.2kA
Рассеиваемая мощность600 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge272nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A

Документация

Документы пока не предоставлены.