Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ148E-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
190 A
Pulsed drain current
750 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ148E-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current190 A
Pulsed drain current750 A
Power dissipation325 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge69nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 190A; Idm: 750A

Документация

Документы пока не предоставлены.