Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ144AE-T1_JE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
575 A
Рассеиваемая мощность
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ144AE-T1_JE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current575 A
Рассеиваемая мощность600 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge116nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 575A; 600W

Документация

Документы пока не предоставлены.