Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ142E-T1_GE3

SQJQ142E-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
460A
Power dissipation
500W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJQ142E-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current460A
Power dissipation500W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 460A; 500W

Документация

Документы пока не предоставлены.