VISHAY

Транзистор SQJQ130EL-T1_GE3

PowerPAK® 8x8LИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 445 A
Pulsed drain current: 445 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJQ130EL-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	445 A
Pulsed drain current	445 A
Рассеиваемая мощность	600 W
Корпус	PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	455nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 445A; Idm: 445A

Документация

Документы пока не предоставлены.