Антава

VISHAY

Транзистор SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
200 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJQ100E-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current200 A
Power dissipation150 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.22µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; 150W

Документация

Документы пока не предоставлены.