VISHAY

Транзистор SQJB90EP-T1_GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 30 A
Pulsed drain current: 80 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJB90EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	30 A
Pulsed drain current	80 A
Power dissipation	40 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 80V; 30A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.