VISHAY

Транзистор SQJB04ELP-T1_GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 22 A
Pulsed drain current: 120 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJB04ELP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	22 A
Pulsed drain current	120 A
Power dissipation	27 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	11 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 22A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.