Антава

VISHAY

Транзистор SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJA82EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current36 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation68 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36A; Idm: 120A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.