VISHAY

Транзистор SQJA81EP-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80 V
Drain current: -46 A
Power dissipation: 68 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQJA81EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-80 V
Drain current	-46 A
Power dissipation	68 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	17.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -46A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.