Антава

VISHAY

Транзистор SQJA76EP-T1_GE3

SQJA76EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
65.6 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJA76EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current65.6 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation68 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.1µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 65.6A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.