Антава

VISHAY

Транзистор SQJA70EP-T1_GE3

SQJA70EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
8.5A
Pulsed drain current
18A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJA70EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current8.5A
Pulsed drain current18A
Power dissipation45W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance95mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 18A

Документация

Документы пока не предоставлены.