Антава

VISHAY

Транзистор SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
14 A
Рассеиваемая мощность
45 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJA68EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current14 A
Рассеиваемая мощность45 W
КорпусSO8
On-state resistance76.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.7nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; 45W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.