VISHAY

Транзистор SQJA37EP-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -30 A
Pulsed drain current: -120 A
Power dissipation: 45 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQJA37EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-30 A
Pulsed drain current	-120 A
Power dissipation	45 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	9.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 45W

Документация

Документы пока не предоставлены.