Антава

VISHAY

Транзистор SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
22.5 A
Power dissipation
68 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJA20EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current22.5 A
Power dissipation68 W
КорпусPowerPAK® SO8
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.6nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 22.5A; 68W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.