Антава

VISHAY

Транзистор SQJA16EP-T1_GE3

SQJA16EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
278 A
Pulsed drain current
575 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJA16EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current278 A
Pulsed drain current575 A
Power dissipation500 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge84nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 278A; Idm: 575A

Документация

Документы пока не предоставлены.