Антава

VISHAY

Транзистор SQJA00EP-T1_GE3

SQJA00EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
30 A
Power dissipation
48 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJA00EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current30 A
Power dissipation48 W
КорпусPowerPAK® SO8
On-state resistance10.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 48W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.